Analysis of the degradation of single-crystalline silicon modules after 21 years of operation

M. Piliougine, A. Oukaja,  P. Sánchez-Friera, G. Petrone, F.J. Sánchez-Pacheco, G. Spagnuolo, M. Sidrach-de-Cardona, Progress in photovoltaics: Research and Applications, 29, 907-919, 2021

En este trabajo se presentan los resultados del análisis de la degradación de un conjunto de módulos de silicio monocristalino después de 21 años. Se realiza la comparación de los principales parámetros eléctricos y de las resistencias serie y paralelo medidas entre 1996 y 2017, y se evalúa la tasa de degradación anual. Además, se realiza un análisis detallado de las incertidumbres de los parámetros para determinar su impacto en los resultados. También se lleva a cabo una inspección visual de los módulos para mostrar la correlación con la variación del rendimiento eléctrico. Finalmente, se estiman los coeficientes de temperatura de los módulos degradados y se comparan con los nominales e iniciales. Los resultados mostrados en el trabajo revelan que la tasa de degradación media anual en términos de potencia es cercana al 0,9%.